加州大学伯克利分校的王枫教授、济南将新斯坦福大学DavidGoldhaber-Gordon和复旦大学的张远波在ABC-TLG/hBN莫尔条纹超晶格中相关Chern绝缘子的实验观察。

研究者们采用射频磁控溅射法在Ge基底上制备非晶态的Mn掺杂SiGe薄膜，添图并通过非平衡态快速热退火（RTA）使其结晶。另一方面，处博长城程第IV族半导体材料，包括硅（Si）、锗（Ge）和硅锗合金（SiGe）等，是传统半导体产业的主流材料之一。

1998本科毕业于兰州大学物理系，物馆2001年硕士毕业于兰州大学材料系（导师王天民教授），物馆2006年博士毕业于美国宾夕法尼亚州立大学物理系（导师Prof.NitinSamarth），曾于哈佛大学、宾夕法尼亚州立大学、俄亥俄州立大学从事科学研究和学术交流活动。（c）退火样品AM1、遗址AM2、AM3和未退火样品M2的GIXRD模式。博物研究成果以题为HighCurieTemperatureFerromagnetismandHighHoleMobilityinTensileStrainedMn-DopedSiGeThinFilms发布在国际著名期刊Adv.Funct.Mater.上。

【小结】综上所述，馆工研究者们采用射频磁控溅射法和非平衡态RTA工艺制备了Si0.25Ge0.75:Mnx样品。【成果简介】近日，设计四川大学的向钢教授（通讯作者）团队、设计汪渊教授团队以及兰州大学彭勇教授团队合作，报道了基于第IV族半导体硅锗合金的磁性半导体的研究工作。

济南将新（b）在不同温度下AM2的M-H曲线。

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